Samsung presenta su nuevo módulo de memoria RAM DDR5 de 512 GB

Samsung presentó su nuevo módulo de memoria RAM DDR5 de 512GB. El componente es el primero en su tipo en la industria basado en la tecnología de procesamiento High-K Metal Gate (HKMG). El módulo fue desarrollado para tareas que requieran «gran demanda de cómputo y ancho de banda».

Específicamente el módulo RAM DDR5 de 512 GB de Samsung fue pensado para su aplicación en el ámbito de la supercomputación, machine learning e inteligencia artificial. Pero será sólo cuestión de tiempo antes de que el poderoso DDR5 arribe al mundo de los ordenadores tradicionales, con números mucho más modestos.

De acuerdo a la información provista, el nuevo módulo Samsung DDR5 de 512 GB puede duplicar el rendimiento de un DDR4, llegando hasta un máximo de 7,200 megabits por segundo. La tecnología HKMG permitirá, además, que esta nueva memoria requiera alrededor de un 13% menos de energía. Este componente puede ser un aliado clave de los centros de datos, cuando mucho se habla de la eficiencia energética como un punto crítico a abordar.

Con la reducción continua de las estructuras DRAM, la capa de aislamiento se ha adelgazado, lo que lleva a una mayor corriente de fuga. Al reemplazar el aislante con material HKMG, la DDR5 de Samsung podrá reducir las fugas y alcanzar nuevos niveles de rendimiento.

Apoyándose en la tecnología TSV (vías a través de silicio), el componente incorpora 32 pilas de 16 GB, conformadas por ocho capas de chips DRAM de 16 Gb, para llegar a la capacidad máxima de 512 GB.

Los rumores más fuertes apuntan a que recién en 2022 serían accesibles a los consumidores. Y una de las primeras en brindar soporte sería la arquitectura Zen 4 de AMD.